| 71V25761YS200PFG | |
|---|---|
| Número de peza | 71V25761YS200PFG |
| Fabricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Descrición | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP |
| Cantidade dispoñible | 2692 pcs new original in stock. Solicitude de cotas e cotización |
| Modelo ECAD | |
| Follas de cálculo | 1.71V25761YS200PFG.pdf2.71V25761YS200PFG.pdf |
| 71V25761YS200PFG Price |
Solicite prezo e tempo de entrega en liña or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Información técnica de 71V25761YS200PFG | |||
|---|---|---|---|
| Número de parte do fabricante | 71V25761YS200PFG | Categoría | Circuitos integrados (IC) |
| Fabricante | IDT (Renesas Electronics Corporation) | Descrición | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP |
| Paquete / caso | 100-TQFP (14x20) | Cantidade dispoñible | 2692 pcs |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina | - | Tensión - Subministración | 3.135V ~ 3.465V |
| Tecnoloxía | SRAM - Synchronous, SDR | Paquete de dispositivos de provedor | 100-TQFP (14x20) |
| Serie | - | Paquete / caso | 100-LQFP |
| Paquete | Tray | Temperatura de operación | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño da memoria | 4.5Mbit | Organización da memoria | 128K x 36 |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | SRAM |
| Frecuencia de reloxo | 200 MHz | Número de produto base | 71V25761 |
| Tempo de acceso | 3.1 ns | ||
| Descarga | 71V25761YS200PFG PDF - EN.pdf | ||
Número de peza do fabricante
71V25761YS200PFG
Descrición
SRAM síncrono de alto rendemento e baixo consumo, cunha frecuencia de reloxo de 200 MHz e un tempo de acceso de 3.1 ns. Ideal para aplicacións que requiren un almacenamento de memoria rápido e fiable.
Envases do produto
Paquete 100-LQFP con dimensións de 14x20 mm
Deseño de montaxe en superficie para unha integración sinxela
Funciona no rango de voltaxe de 3.135V a 3.465V
Rango de temperatura de operación de 0°C a 70°C
Por que elixir este produto?
Rendemento excepcional cunha velocidade de reloxo de 200 MHz e un tempo de acceso veloz de 3.1 ns
Baixo consumo de enerxía para unha operación eficiente
Diseño robusto cun amplo rango de temperatura para un uso fiable en diversas aplicacións
Características clave
Capacidade de almacenamento de 4.5 Mbit
Organización de memoria 128K x 36
Interfaz de memoria paralela
Tecnoloxía SRAM síncrona para un temporizado e control precisos
Compatibilidade do produto
Este produto é compatible cun amplo rango de dispositivos e sistemas electrónicos que requiren un almacén de memoria rápido e fiable.
Vantaxes clave
Tempo de acceso rapidísimo para un procesamento de datos en tempo real
Operación eficiente en termos de enerxía para unha maior duración da batería
Amplo rango de temperatura para o uso en diversos ambientes
Ciclo de vida do produto
Este produto xa está obsoleto, pero pode haber modelos equivalentes ou alternativos dispoñibles. Aconséllase aos clientes que contacten co noso equipo de vendas a través da web para obter a información máis recente sobre produtos e dispoñibilidade.
Áreas de aplicación clave
Equipamento de telecomunicacións
Sistemas de control industrial
Dispositivos médicos
Electrónica automotiva
Electrónica de consumo
Actúa agora
Solicita un orzamento para este produto na nosa web hoxe. Non perdas esta solución de memoria de alto rendemento - contacta connosco agora para máis información.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ 71V25761YS200PFG en liña.
| Stock 71V25761YS200PFG | Prezo 71V25761YS200PFG | Electrónica 71V25761YS200PFG |
| Compoñentes 71V25761YS200PFG | Inventario 71V25761YS200PFG | 71V25761YS200PFG Digikey |
| Provedor 71V25761YS200PFG | Orde 71V25761YS200PFG en liña | Consulta 71V25761YS200PFG |
| Imaxe 71V25761YS200PFG | Imaxe 71V25761YS200PFG | PDF 71V25761YS200PFG |
| Ficha de datos 71V25761YS200PFG | Descarga unha ficha técnica 71V25761YS200PFG | Fabricante IDT (Renesas Electronics Corporation) |
