| NTZD5110NT1G | |
|---|---|
| Número de peza | NTZD5110NT1G |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
| Cantidade dispoñible | 22000 pcs new original in stock. Solicitude de cotas e cotización |
| Modelo ECAD | |
| Follas de cálculo | NTZD5110NT1G.pdf |
| NTZD5110NT1G Price |
Solicite prezo e tempo de entrega en liña or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Información técnica de NTZD5110NT1G | |||
|---|---|---|---|
| Número de parte do fabricante | NTZD5110NT1G | Categoría | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Descrición | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
| Paquete / caso | SOT-563 | Cantidade dispoñible | 22000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedor | SOT-563 |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Potencia - Máx | 250mW | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | SOT-563, SOT-666 | Outros nomes | NTZD5110NT1G-ND NTZD5110NT1GOSTR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Tempo de entrega estándar do fabricante | 45 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Función FET | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563 | Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 294mA |
| Número de parte base | NTZD5110N | ||
| Descarga | NTZD5110NT1G PDF - EN.pdf | ||
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ NTZD5110NT1G en liña.
| Stock NTZD5110NT1G | Prezo NTZD5110NT1G | Electrónica NTZD5110NT1G | |||
| Compoñentes NTZD5110NT1G | Inventario NTZD5110NT1G | NTZD5110NT1G Digikey | |||
| Provedor NTZD5110NT1G | Orde NTZD5110NT1G en liña | Consulta NTZD5110NT1G | |||
| Imaxe NTZD5110NT1G | Imaxe NTZD5110NT1G | PDF NTZD5110NT1G | |||
| Ficha de datos NTZD5110NT1G | Descarga unha ficha técnica NTZD5110NT1G | Fabricante | |||
| Partes relacionadas para NTZD5110NT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imaxe | Número de peza | Descrición | Fabricante | Obter unha cotización | |
 |
NTZD3158PT1G | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT2G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT2G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151PT1H | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
 |
NTZD3155CT5G MOS | VBSEMI SOT-563 | VBSEMI | ||
|
NTZD3155CT1G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT1G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD5110NT5G | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151P | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZS3151PT1G IC | ON SOT563 | ON | ||
|
NTZD5110NT1G MOS | ON SC70-6 | ON | ||
|
NTZD3155C | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZD3155CT5G IC | ON SOT563 | ON | ||
|
NTZD3155CT1G IC | MSV SOT-563 | MSV | ||
|
NTZD3155CT1H | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT1G MOS | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZS3151PT1G | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Novas
Máis
A medida que os avances tecnolóxicos e a idade da información chegan, as redes ópticas, un método de transmisión de datos eficientes e fiables, t...
Inicio informou o 16 de abril que segundo o "Informe global do mercado de equipos de semiconductores" publicado recentemente pola organización da ind...
A Unión Sueca se Metall anunciou o 10 de abril que a folga de Tesla Mechanics é unha das disputas laborais máis longas do país e segue a perturbar...
Recentemente, os principais fabricantes de almacenamento como Micron, Samsung e Western Digital anunciaron aumentos de prezos.Os privilexios da indust...
No aire, a fracción de volume normal do contido de osíxeno é de aproximadamente o 20,9%, pero cando o contido de osíxeno cae por baixo deste valor...
Novos produtos
Máis
Sensor fotoeléctrico da serie PD30 Os sensores fotoeléctricos en miniatura de Carlo Gavazzi son de...
XC112 / XR112 Kit de avaliación do radar coherente de impulso A111 Kit de avaliación XC112 e XR112...
Unidades e motores servos da serie MINAS A6 A familia MINAS A6 de Panasonic asegura un funcionamento...
Placa de control UV LED Placa de control UVV de RayVio para series XE e XP1 de emisores UV-C A tar...
Proba SDRAM industrial e ampliada DDR Os dispositivos SDRAM DDR de Insignis garanten o funcionamento...
Correo electrónico: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AGREGAR: Rm 2703 27F Centro Ho Comm Comm 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Aviso de copyright © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Todos os dereitos reservados.