Infineon libera as perspectivas de semiconductores de potencia GAN 2025

O último informe de Infineon destaca que Gallium Nitride (GAN) está a alcanzar un punto de adopción crítico en varias industrias, impulsando melloras na eficiencia enerxética.Con vantaxes como a alta eficiencia, o tamaño compacto, o deseño lixeiro e a redución de custos, GAN xa é moi utilizado en cargadores USB-C e outros electrónicos de consumo.Espérase que a súa aplicación se expanda aínda máis en vehículos eléctricos (EVs), centros de datos de AI, electrodomésticos e robótica.

Gan é crucial para mellorar a densidade de poder nos centros de datos de AI, atendendo á demanda crecente de poder informático.A medida que os requisitos de potencia evolucionan de 3,3 kW a 12 kW, a alta densidade de potencia de Gan optimiza a utilización do espazo en rack.Ademais, a integración de GaN con silicio (SI) e carburo de silicio (SIC) permite un equilibrio óptimo entre a eficiencia, a densidade de potencia e o custo do sistema.

No sector dos aparellos domésticos, GAN mellora a eficiencia enerxética, aumentando a eficiencia nun 2% en aplicacións de 800 W, axudando aos fabricantes a alcanzar os estándares de eficiencia enerxética de calidade A.En EVS, os cargadores a bordo baseados en GAN e os convertedores DC-DC ofrecen maior eficiencia de carga e densidade de potencia, con sistemas que avanzan máis alá dos 20 kW.Ademais, espérase que Gan combinado con SIC aumente os inversores de tracción de 400V e 800V, estendendo o rango de condución de EV.

A industria da robótica tamén se beneficiará do tamaño compacto e de alto rendemento de Gan, impulsando os avances en drones de entrega, robots de asistencia e robots humanoides.Infineon está aumentando o seu investimento en I + D en GAN, aproveitando a tecnoloxía de transistor de fabricación e interruptor bidireccional (BDS) de 300 mm para manter o seu liderado na dixitalización e na redución de carbono.