Coñece o módulo de enerxía BSM75GP60
2025-04-02 252

Vantaxes e desvantaxes BSM75GP60

Vantaxes:

- Manexa ata 75a continuo e pico 150a, ideal para cargas pesadas.

- Adecuado para aplicacións de media tensión como unidades motoras e sistemas UPS.

- Reduce as perdas de condución, mellorando a eficiencia global do sistema.

- Mellora o rendemento en aplicacións de alta frecuencia.

- Protexe contra a tensión inversa en circuítos indutivos.

- Equipado con disipación de calor efectiva (0,4 K/W RTHJC).

- Construído para soportar duros ambientes industriais e estrés eléctrico.

- Fácil de integrar nos sistemas e deseños existentes.

Desvantaxes:

- Non é adecuado para aplicacións de alta tensión máis aló deste limiar.

- Pode necesitar un traballo mecánico adicional durante a montaxe.

- Aínda que eficientes, os módulos máis recentes poden ofrecer perdas de conmutación aínda máis baixas.

- Alternativas como o BSM75GB60DLC ofrecen unha conmutación máis rápida e unha mellor resistencia térmica.

- Necesita circuítos de controladores adecuados para xestionar os sinais de porta con seguridade.

Diagrama de circuítos BSM75GP60

O diagrama de circuítos mostrado é para o BSM75GP60, un módulo de potencia IGBT en 3 fases usado habitualmente en unidades motoras industriais e aplicacións de conversión de enerxía.Este módulo integra varios compoñentes de potencia principais dentro dun único paquete para simplificar o deseño de alta potencia.

Na parte esquerda do diagrama, pinos 1, 2 e 3 representar o Liñas de entrada de CA (U, V, W), que están conectados a un rectificador de ponte de diodo de onda completa trifásica.Esta sección converte a potencia de CA en DC dirixindo a corrente a través de seis diodos dispostos nunha configuración da ponte.A saída do rectificador preséntase en Pins 21 (DC positivo) e 23 (DC negativo), mentres Pin 22 é o autobús DC intermedio.A parte central do diagrama ilustra Tres pernas de inversor IGBT de media ponte.Cada perna contén un interruptor IGBT cun diodo anti-paralelo.Estes están conectados do seguinte xeito:

- Igbts 13–14 e 20–19 Forma os interruptores superior e inferior da fase U (saída no pin 7).

- Igbts 12–11 e 18–17 Forma a fase V (saída no pin 4).

- Igbts 15–6 e 16–5 Forma Fase W (saída no pin 5).

Cada par permite a conmutación controlada da potencia CC para crear saída de CA trifásica para o control do motor ou as aplicacións do inversor. Pins 8 e 9 están conectados a un Termistor NTC, que proporciona detección de temperatura para a protección e control térmico.Isto axuda a manter un funcionamento seguro do módulo baixo carga e condicións térmicas diferentes.

Esquema de envasado BSM75GP60

O esquema de envases para o módulo IGBT BSM75GP60 ofrece as especificacións físicas e mecánicas necesarias para a montaxe e a integración adecuadas nun sistema de electrónica de enerxía.O contorno mostra unha carcasa rectangular compacta con espazos e dimensións precisas de pinos, garantindo a compatibilidade con disipadores de calor e PCB estándar.

O módulo mide aproximadamente De 122 mm de lonxitude, 62 mm de ancho, e 20,5 mm de altura, facéndoo adecuado para aplicacións de media a alta potencia onde sexa necesaria a eficiencia espacial.O diagrama destaca Detalles de disposición de pin, con grupos de pin claramente dispostos e etiquetados para coincidir coa configuración do circuíto interno.A posición e o espazo de cada pin son básicos para a soldadura precisa e a conectividade eléctrica.

Montar buracos nas esquinas, cada un cun diámetro de 5,5 mm , ofrécese para fixar de forma segura o módulo a un disipador de calor ou unha placa base.Estes garanten un bo contacto térmico e estabilidade mecánica.A vista lateral indica a superficie plana da placa base Para unha transferencia de calor eficiente, coa altura e a compensación de pin deseñada para aliñar facilmente co hardware de montaxe estándar.

Fabricante BSM75GP60

O EUPEC foi unha empresa especializada en solucións de semiconductores de alta potencia, incluíndo módulos IGBT avanzados, tiristores e diodos para aplicacións de electrónica industrial e de enerxía.Fundada en 1990 como EUPEC GmbH en Warstein, Alemaña, converteuse nunha filial de propiedade total de Siemens en 1995. En 1999, Siemens expulsou as súas operacións de semiconductores, incluída EUPEC, nas novas tecnoloxías infineonas formadas.Os produtos da EUPEC foron necesarios en industrias como a enerxía renovable, a automatización industrial, o transporte e a conversión de enerxía.Hoxe, o seu legado continúa baixo Infineon, contribuíndo a unha ampla carteira de tecnoloxías de semiconductores.

Conclusión

Explorar o módulo IGBT BSM75GP60 mostra que é un xogador principal en Electronics Power, perfecto para conducir motores e xestionar o poder nos sistemas.O seu forte rendemento e fiabilidade convérteno nunha mellor opción para aqueles que necesitan electrónica robusta.O BSM75GP60 é ideal para actualizar sistemas antigos ou construír outros novos, ofrecendo un rendemento e eficiencia de alta calidade.

Folla de datos PDF

Ficha de datos BSM75GP60: